FET 类型技术漏源电压（Vdss）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）Vgs（最大值）不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）FET 功能功率耗散（最大值）工作温度安装类型供应商器件封装封装/外壳

P 沟道

MOSFET（金属氧化物）

30V

4A（Ta）

2.5V，10V

44 毫欧 @ 4.3A，10V

1.3V @ 250µA

12.2nC @ 4.5V

±12V

1200pF @ 15V

-

1.4W（Ta）

-55°C ~ 150°C（TJ）

表面贴装

SOT-23-3L

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3